北京晶格领域半导体有限公司（ 以下简称“晶格领域”）于2020年6月成立，是集碳化硅（SiC）衬底研发、生产及销售于一体的创新型高新技术企业。晶格领域掌握具有自主知识产权的液相法碳化硅单晶生长技术，能有效提高晶体质量，降低生产成本，并能制备出高质量4H-p型碳化硅和3C-n型立方碳化硅衬底，对推动宽禁带半导体产业的发展具有重要意义。
晶格领域已建成4-6寸液相法碳化硅衬底试验线，6-8寸液相法碳化硅衬底试验线也于2025年完成建设。
晶格领域已成功突破4-8英寸p型和4-6寸3C-n型碳化硅单晶生长技术，我司专注于半导体晶体材料的技术研发，致力于在晶体尺寸控制、缺陷密度降低及厚度均匀性等关键指标上实现持续突破。